Workshop on Innovative Metallurgical Processes for Advanced

Materials 1 Frontier on SiC Solution Growth
開催日：2017年6月23日(金)
会場：東京大学生産技術研究所

2017年6月23日に、”Workshop on the Innovative Metallurgical Processes for Advanced Materials 1”が本所Dw-604にて開催されました。このワークショップは、本センターの吉川健准教授とCNRS･グルノーブルのDidier Chaussende博士が、先端材料の先進冶金的プロセス分野の最近のアクティビティを議論するためのプラットフォームを形成するために開始したものです。ワークショップは、フランスと日本で毎年交互に開催される予定です。

第一回目のワークショップは、本センターの支援の下、最近話題を集めるパワーデバイス用途のSiC単結晶の溶液成長法をテーマとして開催されました。Chaussende博士による特別講演“Solution growth of silicon carbide: state of the art and perspectives”から始まり、高品質結晶の安定的連続成長を実現するための成長界面制御法に焦点を当てた大学、公的研究機関の研究者による４講演が行われました。SiCプロセスの先端研究・開発を担う産学官の研究者が20名以上参加し、深い議論を行いました。その後の見学会、意見公開会でも引き続き活発な議論が行われました。